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Microsemi，美高森美，Microsemi代理商
Microsemi|美高森美公司產(chǎn)品型號(hào)搜索
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APTM10DDAM09T3G供應(yīng)商
產(chǎn)品參考圖片
APTM10DDAM09T3G參考圖片
Microsemi（美高森美）產(chǎn)品標(biāo)志
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聯(lián)系方式
APTM10DDAM09T3G
  • 制造廠(chǎng)商：Microsemi（中文名：美高森美）
  • 類(lèi)別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：SP3
  • 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
  • （專(zhuān)注銷(xiāo)售Microsemi電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
  • （您可通過(guò)電話(huà)、微信、QQ或郵件與銷(xiāo)售代表聯(lián)系詢(xún)價(jià)及采購(gòu)）
    • 參數(shù)詳情：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：APTM10DDAM09T3G
  • 制造商：Microsemi Corporation（美高森美）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列：-
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • FET類(lèi)型：2 N-通道（雙）
  • FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源電壓（Vdss）：100V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：139A
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：10 毫歐 @ 69.5A，10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.5mA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：350nC @ 10V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：9875pF @ 25V
  • 功率-最大值：390W
  • 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型：底座安裝
  • 封裝：SP3
  • APTM10DDAM09T3G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷(xiāo)售代表確認(rèn)。
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