APT19F100J
制造廠商:Microsemi(中文名:美高森美)
類別封裝:場效應管模塊,ISOTOP
技術參數:MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227
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參數詳情:
制造商產品型號:APT19F100J制造商:Microsemi Corporation(美高森美)描述:MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227系列:POWER MOS 8?FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標準漏源極電壓 (Vdss):1000V(1kV)電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):20A不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):440 毫歐 @ 16A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):260nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):8500pF @ 25V功率 - 最大值:460W安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC供應商器件封裝:ISOTOPAPT19F100J的訂貨細節及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。