APTM50DDAM65T3G
制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
類別封裝：場效應管模塊，SP3
技術參數：MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
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參數詳情：
制造商產品型號：APTM50DDAM65T3G制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3系列：-FET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：500V電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：51A不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：78 毫歐 @ 25.5A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：140nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：7000pF @ 25V功率 - 最大值：390W安裝類型：底座安裝封裝/外殼：SP3供應商器件封裝：SP3APTM50DDAM65T3G的訂貨細節及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
