APTM20HM08FG
制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
類別封裝：場效應管模塊，SP6
技術參數：MOSFET 4N-CH 200V 208A SP6
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參數詳情：
制造商產品型號：APTM20HM08FG制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：MOSFET 4N-CH 200V 208A SP6系列：-FET 類型：4 個 N 通道（H 橋）FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：200V電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：208A不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：10 毫歐 @ 104A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：280nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：14400pF @ 25V功率 - 最大值：781W安裝類型：底座安裝封裝/外殼：SP6供應商器件封裝：SP6APTM20HM08FG的訂貨細節及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
