APTM100H80FT1G
制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：SP1
技術參數：MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
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參數詳情：
制造商產品型號：APTM100H80FT1G制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列產品系列：-零件狀態：停產FET類型：4 個 N 通道（H 橋）FET功能：標準漏源電壓（Vdss）：1000V（1kV）25°C時電流-連續漏極(Id)：11A不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：960 毫歐 @ 9A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：150nC @ 10V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：3876pF @ 25V功率-最大值：208W工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：底座安裝封裝：SP1APTM100H80FT1G的訂貨細節及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
