APTM100A13DG
制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
類別封裝：場效應管模塊，SP6
技術參數：MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
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參數詳情：
制造商產品型號：APTM100A13DG制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6系列：-FET 類型：2 個 N 通道（半橋）FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：65A不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：156 毫歐 @ 32.5A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 6mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：562nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：15200pF @ 25V功率 - 最大值：1250W安裝類型：底座安裝封裝/外殼：SP6供應商器件封裝：SP6APTM100A13DG的訂貨細節及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
