APTGT50H120T3G
制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
類別封裝：IGBT模塊，SP3
技術參數：IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
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參數詳情：
制造商產品型號：APTGT50H120T3G制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3系列：-IGBT 類型：溝道和場截止配置：全橋反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：75A功率 - 最大值：270W不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.1V @ 15V，50A電流 - 集電極截止（最大值）：250μA不同 Vce 時的輸入電容 (Cies)：3.6nF @ 25V輸入：標準NTC 熱敏電阻：是安裝類型：底座安裝封裝/外殼：SP3供應商器件封裝：SP3APTGT50H120T3G的訂貨細節及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
