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APTC60HM45T1G
  • 制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
  • 類別封裝：場效應管模塊，SP1
  • 技術參數：MOSFET 4N-CH 600V 49A SP1
  • （專注銷售Microsemi電子元器件，承諾原裝！現貨當天發貨！）
  • （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯系詢價及采購）
    • 參數詳情：
  • 制造商產品型號：APTC60HM45T1G
  • 制造商：Microsemi Corporation（美高森美）
  • 描述：MOSFET 4N-CH 600V 49A SP1
  • 系列：-
  • FET 類型：4 個 N 通道（H 橋）
  • FET 功能：標準
  • 漏源極電壓 (Vdss)：600V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：49A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：45 毫歐 @ 24.5A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 3mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：150nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：7200pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：250W
  • 安裝類型：底座安裝
  • 封裝/外殼：SP1
  • 供應商器件封裝：SP1
  • APTC60HM45T1G的訂貨細節及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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