APT50GP60JDQ2
制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
類別封裝：IGBT模塊，ISOTOP
技術參數：IGBT 600V 100A 329W SOT227
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參數詳情：
制造商產品型號：APT50GP60JDQ2制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：IGBT 600V 100A 329W SOT227系列：POWER MOS 7IGBT 類型：PT配置：單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100A功率 - 最大值：329W不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.7V @ 15V，50A電流 - 集電極截止（最大值）：525μA不同 Vce 時的輸入電容 (Cies)：5.7nF @ 25V輸入：標準NTC 熱敏電阻：無安裝類型：底座安裝封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC供應商器件封裝：ISOTOPAPT50GP60JDQ2的訂貨細節及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
